研究了活性填料铬（Ｃｒ）在聚碳硅烷（ＰＣＳ）先驱体裂解陶瓷中的应用。研究表明，活性填料Ｃｒ能有效降低陶瓷素坯的气孔率。Ｃｒ可与ＰＣＳ气态裂解产物和Ｎ２气氛反应......

研究了碳化硅(SiC)陶瓷表面铬金属化机理及SiC-SiC和SiC-Cu的封接技术。SiC在1000—1250℃真空环境中表面铬金属化,然后利用铜基合......